在前不久举行的第65届电气电子工程师学会国际电子器件会议上，北京大学微纳电子学系研究员、博士生导师黄芊芊，获2019 IEEE电子器件学会青年成就奖。这项重要大奖在2019年全球仅有3人获得。黄芊芊作为亚洲地区唯一获奖者，也是该奖项设立以来第二位来自中国科研单位的获奖者。

闪耀履历

黄芊芊出生在江西上饶，2006年毕业于上饶一中，考取北京大学信息科学技术学院微电子学系，28岁成博导，29岁获优青。2016年，黄芊芊获得中国博士后科学基金特别资助项目资助；2017年，入选2017年度中国“未来女科学家计划”。当年，全国仅有4人入选。黄芊芊成为该奖项设立以来首位微电子领域获奖的青年学者。同年，28岁的她正式入职北大，成为微纳电子学系研究员、博士生导师；2018年，黄芊芊获得国家自然科学基金委员会优秀青年科学基金的资助；2019年，她更是入选2019福布斯中国30位30岁以下精英榜，并当选中国电子学会青年女科学家俱乐部第一届理事会理事。

给北大新生的寄语

去年，北大的录取通知书增加了一项新内容——邀请7位北大杰出校友，给2019年新生写一封信。黄芊芊作为7位北大杰出校友之一，也给新生们写了一封信，讲述自己的“北大情缘”。

黄芊芊表示：“本科毕业时我之所以选择了留在北大直接攻读博士学位，是因为我坚信，国内微电子技术只是起步晚，并非能力不足，北大有着国内微电子专业最顶尖的师资力量和科研环境，在国内、在北大一样可以做出不逊色于国外一流大学的科研成果。”

聚焦超低功耗器件基础研究

黄芊芊的主要研究方向是后摩尔时代超低功耗微纳电子器件及其在逻辑电路、神经形态计算等领域的应用。多年来，黄芊芊在科研方面取得了一系列代表性成果。迄今为止，黄芊芊已发表论文60余篇，其中以第一作者/通讯作者身份在微电子领域顶级国际会议IEDM与VLSI上发表论文9篇（含一作6篇），创下中国大陆地区以第一作者身份发表IEDM论文篇数的最高纪录。相关成果被2次写入国际半导体技术路线指南（ITRS）。此外，她已申请专利70余项，其中国际授权专利10余项、国内授权专利40余项，部分成果转移到中芯国际。

目前，黄芊芊带领的团队已经研制出世界上首个基于12英寸CMOS生产线上的互补隧穿器件集成技术，受到英特尔、IBM等国际巨头公司的高度关注。